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厂商型号

KSB546O 

产品描述

Trans GP BJT PNP 150V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk

内部编号

3-KSB546O

#1

数量:451
1+¥2.828
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KSB546O产品详细规格

规格书 KSB546O datasheet 规格书
KSB546O datasheet 规格书
文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 200
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 70 @ 400mA, 10V
功率 - 最大 25W
频率转换 5MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Bulk
包装 3TO-220AB
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 150 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 70@0.4A@10V
最大工作频率 5(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 1@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 200 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 25000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
集电极最大直流电流 2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
最大功率耗散 25000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 5(Typ)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 200
供应商封装形式 TO-220AB
最大集电极发射极电压 150
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 5MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 25W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 70 @ 400mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 2 A
集电极 - 基极电压 200 V
集电极 - 发射极电压 150 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 5 MHz
功率耗散 25 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220AB
元件数 1
直流电流增益 70
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP

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